Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 107,321,073
A DFT+U Study of CO and H2 Adsorption Properties on Ga, Li, and Cu Doped ZnO Surfaces
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Ho Viet Thang
Nơi đăng:
ChemNanoMat;
S
ố:
6;
Từ->đến trang
: e202300024;
Năm:
2023
Lĩnh vực:
Khoa học;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
Doping heteroatoms is an efficient method for enhancing the electronic properties of ZnO materials in order to apply them to the desired applications. This study compares the effect of various dopant metals on the electronic and adsorption properties of ZnO using DFT+U calculations. Metal dopants including n-type Ga (IIIA metal), p-type Li (IA metal), and equivalent valance metal Cu are thought to be substituted in the Zn lattice at both the surface (Znsur) and subsurface (Znsub) sites. To evaluate the electronic structure of doped ZnO and the adsorption properties of CO and H2 on doped ZnO , the Bader charge, density of state, spin density, charge density difference, adsorption energy, and vibrational frequency are calculated. The computed findings demonstrate that, among the investigated dopants, Cu dopant significantly enhances the adsorption characteristics of ZnO materials. This research will be useful in designing appropriate materials for adsorption and catalytic applications.
ABSTRACT
Doping heteroatoms is an efficient method for enhancing the electronic properties of ZnO materials in order to apply them to the desired applications. This study compares the effect of various dopant metals on the electronic and adsorption properties of ZnO using DFT+U calculations. Metal dopants including n-type Ga (IIIA metal), p-type Li (IA metal), and equivalent valance metal Cu are thought to be substituted in the Zn lattice at both the surface (Znsur) and subsurface (Znsub) sites. To evaluate the electronic structure of doped ZnO and the adsorption properties of CO and H2 on doped ZnO , the Bader charge, density of state, spin density, charge density difference, adsorption energy, and vibrational frequency are calculated. The computed findings demonstrate that, among the investigated dopants, Cu dopant significantly enhances the adsorption characteristics of ZnO materials. This research will be useful in designing appropriate materials for adsorption and catalytic applications.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn