Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,312,966

 Nghiên cứu đặc tính cấu trúc điện tử của màng film ZnO pha tạp trên nền kim loại Cu
Chủ nhiệm:  Hồ Viết Thắng; Thành viên:  
Số: T2021-02-37 ; Năm hoàn thành: 2022; Đề tài cấp cơ sở; Lĩnh vực: Khoa học
Trong nghiên cứu này chúng tôi sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ điện tử (DFT) có hiệu chỉnh U và lực phân tán van der Waals để khảo sát các đặc tính cấu trúc điện tử của màng film hai lớp ZnO và màng film hai lớp ZnO/Cu (111) pha tạp N. Chúng tôi nhận thấy về sự khác biệt trạng thái oxy hóa của N khi thay thế anion O trong màng ZnO tự do và màng ZnO/Cu(111). Khi thay thế anion O trong màng film ZnO tự do thì N có trạng thái ôxy hóa giống với O là -2, trong khi trạng thái ôxy hóa của N trở thành -3 khi nó thay thế anion O trong màng film ZnO/Cu (111). Sự tăng mật độ điện tích của N trong N:ZnO/Cu(111) so với N:ZnO tự do là do sự chuyển điện tử từ đế nền hỗ trợ Cu. Sự khác biệt về trạng thái oxy hóa của N trong màng film ZnO và ZnO/Cu(111) được chứng minh bằng việc phân tích điện tích Bader, độ từ tính và mật độ trạng thái. Ngoài ra,  những thay đổi về tính chất điện tử của màng ZnO pha tạp N của màng film ZnO và ZnO/Cu(111) được đánh giá thông qua sự hấp phụ các phân tử CO và H2. Kết quả tính toán cho thấy rằng năng lượng hấp phụ CO và H2 được tăng cường đáng kể trong ZnO/Cu(111) pha tạp N so với màng film hai lớp ZnO tự do pha tạp N. Điều này chứng tỏ rằng đế nền kim loại Cu có ảnh hưởng đáng kể đến tính chất điện tử của màng ZnO pha tạp N trong việc cải thiện tính chất hấp phụ và xúc tác của vật liệu này.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn