Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,063,644

 Diode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2
marriage affairs blog.ivanovtech.com i want an affair
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Nguyễn Linh Nam*
cvs weekly sale cvs print prescription savings cards
Nơi đăng: Tạp chí Khoa học Công nghệ ĐHĐN; Số: Số 01(86).2015;Từ->đến trang: 69-73;Năm: 2015
Lĩnh vực: Khoa học; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
Vật liệu cấu trúc lớp hai chiều molybdenum disulfide (MoS2) thu hút sự chú ý và nghiên cứu rất nhiều gần đây bởi đặc tính đặc biệt của về độ rộng vùng cấm trực tiếp và có tiềm năng ứng dụng rất lớn trong các thiết bị điện tử và quang điện tử. Trong nghiên cứu này, chúng tôi chế tạo và đo đạc khảo sát một diode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2 dựa trên cấu trúc linh kiện lỗ nano. Những màng mỏng có cấu trúc tinh thể cao MoS2 được tổng hợp và được đặt trên đỉnh của lỗ nano. Sau đó, kim loại nhôm được cho bốc hơi bám vào hai mặt của lớp màng MoS2 này để tạo thành các điện cực cho việc đo và khảo sát đặc tính dẫn điện. Đặc tính dòng-áp của linh kiện diode thể hiện điện trở khác biệt âm, đây là một trong những đặc điểm nổi bật để nhận biết diode cộng hưởng đường hầm. Sự phụ thuộc nhiệt độ và từ trường của các đặc tính linh kiện cũng được đo và thảo luận.
ABSTRACT
The two-dimensional layer of molybdenum disulfide (MoS2) material has recently attracted much interest and research due to its direct-gap property and application potential in electronic and optoelectronic devices. In this research, we made and measured a resonant tunneling diode made up of MoS2 atomic-layered material based on nanopore structure device. MoS2 high-quality crystalline films were synthesized and transferred on the top of nanopore. After that, Al films were thermally evaporated onto the both sides of the chip to form top and bottom electrodes for conductivity measurement and survey. The current-voltage characteristics displayed the negative differential resistance, which is a signature for resosnant tunneling diode. Temperature and magnetic field dependence of device properties were also measured and discussed.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn