Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,064,023

 Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric.
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, Toshi-kazu Suzuki
Nơi đăng: Physica Status Solidi (C); Số: 10;Từ->đến trang: 1401–1404;Năm: 2013
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
walgreens pharmacy coupon site promo codes walgreens
ABSTRACT
We investigated BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors (MIS-HFETs) with sputtering-deposited BN gate dielectric. Amorphous BN thin films obtained by RF magnetron sputtering deposition were applied to MIS-HFET device fabrication. The MIS-HFET devices exhibit very low gate leakage current indicating good insulating properties of BN, and almost no negative drain conductance. The device characteristics and its temperature dependence were investigated, where we observe decreasing drain current and increasing gate current with increase in temperature. The relative decrease in the drain current for the low field region is larger than that for the high field region, according to the temperature dependence of low- and high-field electron velocities. The temperature dependence of the gate leakage current is explained by a mechanism with thermally activated tunneling and direct tunneling.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn