Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 106,064,023
Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric.
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, Toshi-kazu Suzuki
Nơi đăng:
Physica Status Solidi (C);
S
ố:
10;
Từ->đến trang
: 1401–1404;
Năm:
2013
Lĩnh vực:
Khoa học công nghệ;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
walgreens pharmacy coupon
site
promo codes walgreens
ABSTRACT
We investigated BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors (MIS-HFETs) with sputtering-deposited BN gate dielectric. Amorphous BN thin films obtained by RF magnetron sputtering deposition were applied to MIS-HFET device fabrication. The MIS-HFET devices exhibit very low gate leakage current indicating good insulating properties of BN, and almost no negative drain conductance. The device characteristics and its temperature dependence were investigated, where we observe decreasing drain current and increasing gate current with increase in temperature. The relative decrease in the drain current for the low field region is larger than that for the high field region, according to the temperature dependence of low- and high-field electron velocities. The temperature dependence of the gate leakage current is explained by a mechanism with thermally activated tunneling and direct tunneling.
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn