Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 106,047,633

 Temperature-dependent characteristics of AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor het-erojunction field-effect transistors
abortion stories gone wrong information about abortions teenage abortion facts
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Tuan Quy Nguyen*, Toshimasa Ui, Masahiro Kudo, Hong-An Shih, Norihiko Hashimoto, and Toshi-kazu Suzuki
cvs weekly sale cvs print prescription savings cards
Nơi đăng: 2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014), Kanazawa, Japan, July 1–3, (2014).; Số: 7A-3;Từ->đến trang: 234-238;Năm: 2014
Lĩnh vực: Khoa học công nghệ; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
unfaithful spouse infidelity i dreamed my husband cheated on me
walgreens prints coupons prescription coupon card free printable coupons
ABSTRACT
Using AlTiO (alloy of TiO2 and Al2O3) films as a high-k gate insulator, we fabricated AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors (MIS-HFETs), which show high maximum drain currents and extremely low gate leakage currents. We investigated temperature-dependent device characteristics of the MIS-HFETs. The behavior of the drain currents, decreasing with the increasing in temperature, is analyzed for the linear and saturation regions. The behavior is explained by the temperature dependence of low-field and high-field electron velocities, being consistent with transmission line model and Hall-effect measurement results, and also Monte-Carlo simulations.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn