Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,130,121

 Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Than Hong Phuc1, Tran Thi Tra Vinh1, Nguyen Vu Anh Quang1,
Than Quang Tho2, Huynh Thanh Tung3, Nguyen Tan Hung3,4,
Van-Trung Nguyen5, Van-Phuc Hoang5, Trong-Thuc Hoang6,
Cong-Kha Pham6
Nơi đăng: The 10th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (IWAMSN 2021; Số: 10;Từ->đến trang: 55-56;Năm: 2021
Lĩnh vực: Chưa xác định; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Trong nước
TÓM TẮT
ABSTRACT
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn