Nguyễn Văn Huy 
  Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,966,008

 
Mục này được 1693 lượt người xem
Họ và tên:  Nguyễn Văn Huy
Giới tính:  Nam
Năm sinh:  16/07/1986
Nơi sinh: Đà Nẵng
Quê quán Đà Nẵng
Tốt nghiệp ĐH chuyên ngành:  Vật Lý; Tại: Đại học Warwick
Đơn vị công tác: Tổ Khoa học - Công nghệ; Viện nghiên cứu và đào tạo Việt - Anh
Chức vụ: Tổ trưởng
Học vị: Tiến sĩ; năm: 2012; Chuyên ngành: Vật Lý bán dẫn; Tại: Đại học Warwick
Dạy CN: Vật lý, Công nghệ Nano
Lĩnh vực NC: Vật lý bán dẫn, Công nghệ Nano
Ngoại ngữ: tiếng Anh
Điện thoại: Đăng nhập để thấy thông tin; Mobile: Đăng nhập để thấy thông tin
Email: Đăng nhập để thấy thông tin
 Quá trình giảng dạy và công tác
 2012-2015: Nghiên cứu sau tiến sĩ, Đại học Warwick
2015-2018: Kỹ sư phát triển, IQE plc.
2018-nay: Giảng viên Viện Nghiên Cứu và Đào Tạo Việt - Anh, Đại học Đà Nẵng
 Các bài báo, báo cáo khoa học
QUỐC TẾ:
[1]Article: Hybrid III-V/SiGe solar cells grown on Si substrates through reverse graded buffers. Authors: Pablo Caño, Manuel Hinojosa, Huy Nguyen, Aled Morgan, David Fuertes Marrón, Iván García, AndrewJohnson, Ignacio Rey-Stolle. Solar Energy Materials and Solar Cells. No: 0927-0248. Pages: 110246. Year 2020. (Jul 26 2021 8:19AM)
[2]Presentations: Ge virtual substrates for high efficiency III-V solar cells: applications, potential and challenges. Authors: I. García, M. Hinojosa, I. Lombardero, L. Cifuentes, I. Rey-Stolle, C. Algora, H. Nguyen, S. Edwards, A. Morgan, A. Johnson. IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference. Pages: 1444-1451. Year 2019. (Jul 26 2021 9:22AM)
[3]Presentations: Hybrid III-V/SiGe solar cells on Si substrates and porous Si substrates. Authors: P. Caño, M. Hinojosa, L. Cifuentes, H. Nguyen, A.Morgan, D.F. Marron, I. Garcia, A. Johnson, I. Rey-Stolle. IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference. Pages: 2513-2518. Year 2019. (Jul 26 2021 9:23AM)
[4]Presentations: Space III-V Multijunction Solar Cells on Ge/Si virtual substrates. Authors: I. García, I. Rey-Stolle, M. Hinojosa, I. Lombardero, L. Cifuentes, C. Algora, H. Nguyen, A. Morgan, A. Johnson. European Space Power Conference. Pages: 1-6. Year 2019. (Jul 26 2021 9:24AM)
[5]Presentations: Developments in germanium-on-silicon epitaxy by reduced pressure chemical vapor deposition. Authors: Van Huy Nguyen, M Myronov, P Allred, J Halpin A Dobbie, DR Leadley. 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Pages: 121-124. Year 2014. (Jul 26 2021 8:22AM)
[6]Article: High quality relaxed germanium layers grown on (110) and (111) silicon substrates with reduced stacking fault formation. Authors: Van Huy Nguyen, A Dobbie, M Myronov, DR Leadley. Journal of Applied Physics. No: 15. Pages: 154306. Year 2013. (Jul 26 2021 8:23AM)
[7]Article: Calibration of thickness-dependent k-factors for germanium X-ray lines to improve energy-dispersive X-ray spectroscopy of SiGe layers in analytical transmission electron microscopy. Authors: Y Qiu, VH Nguyen, A Dobbie, M Myronov, T Walther. Journal of Physics: Conference Series. No: 471. Pages: 012031. Year 2013. (Jul 26 2021 8:24AM)
[8]Article: Growth of Smooth, Low-Defect Germanium Layers on (111) Silicon via an Intermediate Islanding Process. Authors: Andy Dobbie, Van Huy Nguyen, Maksym Myronov, Terry E Whall, Evan HC Parker, David R Leadley. Applied Physics Express. No: 5. Pages: 071301. Year 2012. (Jul 26 2021 8:25AM)
[9]Presentations: Understanding the Role of the Low Temperature Seed Layer in the Growth of Low Defect Relaxed Germanium Layers on (111) Silicon by Reduced Pressure CVD. Authors: Van Huy Nguyen, A Dobbie, M Myronov, DR Leadley. International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting. Pages: 1-2. Year 2012. (Jul 26 2021 8:26AM)
[10]Article: Epitaxial growth of relaxed germanium layers by reduced pressure chemical vapour deposition on (110) and (111) silicon substrates. Authors: Van Huy Nguyen, A Dobbie, M Myronov, DJ Norris, T Walther, DR Leadley. Thin Solid Films. No: 520. Pages: 3222-3226. Year 2012. (Jul 26 2021 8:28AM)
[11]Article: Thermal stability of thin compressively strained ge surface channels grown on relaxed si0. 2ge0. 8 reverse-graded buffers. Authors: A Dobbie, Van Huy Nguyen, RJH Morris, Xue-Chao Liu, M Myronov, DR Leadley. Journal of the Electrochemical Society. No: 159. Pages: H490-H496. Year 2012. (Jul 26 2021 8:30AM)
[12]Article: Non-destructive thickness characterization of Si based heterostructure by X-ray diffraction and reflectivity. Authors: Xue-Chao Liu, M Myronov, A Dobbie, Van H Nguyen, DR Leadley. Solid State Electronics. No: 60. Pages: 42-45. Year 2011. (Jul 26 2021 8:31AM)
[13]Article: Highly strained Si epilayers grown on SiGe/Si (100) virtual substrate by reduced pressure chemical vapour deposition. Authors: M Myronov, VA Shah, A Dobbie, Xue‐Chao Liu, Van H Nguyen, DR Leadley, EHC Parker. physica status solidi c. No: 8. Pages: 952-955. Year 2011. (Jul 26 2021 9:13AM)
[14]Article: Accuracy of thickness measurement for Ge epilayers grown on SiGe/Ge/Si (100) heterostructure by x-ray diffraction and reflectivity. Authors: Xue-Chao Liu, M Myronov, A Dobbie, Van H Nguyen, DR Leadley. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. No: 29. Pages: 011010. Year 2011. (Jul 26 2021 9:14AM)
[15]Article: High quality strained ge epilayers on a si0. 2ge0. 8/ge/si (100) global strain-tuning platform. Authors: Maksym Myronov, Andy Dobbie, Vishal A Shah, Xue-Chao Liu, Van H Nguyen, David R Leadley. Electrochemical and Solid State Letters. No: 13. Pages: 388. Year 2010. (Jul 26 2021 9:14AM)
[16]Article: Effect of growth rate on the threading dislocation density in relaxed SiGe buffers grown by reduced pressure chemical vapour deposition at high temperature. Authors: A Dobbie, M Myronov, Xue-Chao Liu, Van H Nguyen, EHC Parker, DR Leadley. Semiconductor Science and Technology. No: 25. Pages: 085007. Year 2010. (Jul 26 2021 9:16AM)
[17]Presentations: Investigation of the Thermal Stability of Strained Ge Layers Grown at Low Temperature by Reduced-pressure Chemical Vapour Deposition on Si0.2Ge0.8 Relaxed Buffers. Authors: Andy Dobbie, Maksym Myronov, Xue-Chao Liu, Van Huy Nguyen, Evan Parker, David Leadley. MRS Online Proceedings Library Archive. Pages: online. Year 2010. (Jul 26 2021 9:20AM)
  
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn