Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,253,635

 Novel two-dimensional Janus β-Ge 2 XY (X/Y= S, Se, Te) structures: first-principles examinations
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Nguyen Dinh Hien, DV Lu, Le C Nhan
Nơi đăng: RSC Nanoscale Advances; Số: 5.17;Từ->đến trang: 4546-4552;Năm: 2023
Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Two-dimensional (2D) structures can stably exist in different allotropes. In this manuscript, we propose a new series of Janus structures based on the β-phase of germanium monochalcogenides, namely, β-Ge2XY (X/Y = S, Se, and Te) monolayers. Our calculations indicate that Janus β-Ge2XY monolayers have a stable crystal structure and possess anisotropic mechanical properties. At the ground state, β-Ge2XY monolayers are semiconductors with a large bandgap and their electronic properties depend strongly on a biaxial strain. Strains not only change the bandgap but can also lead to a change in the bandgap characteristic, namely transitions from indirect to direct bandgap. Our findings not only introduce a new structure of germanium chalcogenide compounds but also show that they have superior physical properties suitable for applications in nanoelectronics
ABSTRACT
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn