Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 107,251,009
Crystal lattice, electronic and transport properties of Janus ZrSiSZ 2 (Z= N, P, As) monolayers by first-principles investigations
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Nguyen PQ Anh, Hiep Thi Nguyen, Dung Van V Lu, Nguyen Cuong, Nguyen N Hieu, Vo Vi
Nơi đăng:
RSC Nanoscale Advances;
S
ố:
5;
Từ->đến trang
: 6705-6713;
Năm:
2023
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
From the extending requirements for using innovative materials in advanced technologies, it is necessary to explore new materials for relevant applications. In this work, we design new two-dimensional (2D) Janus ZrSiSZ2 (Z = N, P, As) monolayers and investigate their crystal lattice and dynamic stability by using density functional theory investigations. The two stable structures of ZrSiSP2 and ZrSiSAs2 are then systematically examined for thermal, energetic, and mechanical stability, and electronic and transport properties. The calculation results demonstrate that both the ZrSiSP2 and ZrSiSAs2 monolayers have good thermal stability at room temperature and high energetic/mechanical stabilities for experimental synthesis. The studied structures are found to be in-direct semiconductors. Specifically, with moderate band-gap energies of 1.04 to 1.29 eV for visible light absorption, ZrSiSP2 and ZrSiSAs2 can be considered potential candidates for photovoltaic applications. The applied biaxial strains and external electric fields slightly change the band-gap energies of the monolayers. We also calculate the carrier mobilities for the transport properties based on the deformation potential method. Due to the lower effective masses, the carrier mobilities in the x direction are higher than those in the y direction. The carrier mobilities of the ZrSiSP2 and ZrSiSAs2 monolayers are anisotropic not only in transport directions but also for the electrons and holes. We believe that the results of our work may stimulate further studies to explore more new 2D Janus monolayers with novel properties of the MA2Z4 family materials.
ABSTRACT
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn