Home
Giới thiệu
Tài khoản
Đăng nhập
Quên mật khẩu
Đổi mật khẩu
Đăng ký tạo tài khoản
Liệt kê
Công trình khoa học
Bài báo trong nước
Bài báo quốc tế
Sách và giáo trình
Thống kê
Công trình khoa học
Bài báo khoa học
Sách và giáo trình
Giáo sư
Phó giáo sư
Tiến sĩ
Thạc sĩ
Lĩnh vực nghiên cứu
Tìm kiếm
Cá nhân
Nội dung
Góp ý
Hiệu chỉnh lý lịch
Thông tin chung
English
Đề tài NC khoa học
Bài báo, báo cáo khoa học
Hướng dẫn Sau đại học
Sách và giáo trình
Các học phần và môn giảng dạy
Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
Khen thưởng
Thông tin khác
Tài liệu tham khảo
Hiệu chỉnh
Số người truy cập: 109,894,709
Electron–interface phonon scattering in quantum wells due to absorbtion
and emission of interface phonons
Tác giả hoặc Nhóm tác giả:
Ho Kim Dan, Le Dinh, Hoang Dinh Trien, Tran Cong Phong, Nguyen Dinh Hien
Nơi đăng:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures;
S
ố:
120;
Từ->đến trang
: 1-10;
Năm:
2020
Lĩnh vực:
Tự nhiên;
Loại:
Bài báo khoa học;
Thể loại:
Quốc tế
TÓM TẮT
In this article, using the operator projection technique, we will theoretically study the electron-interface phonon scattering process due to the absorbtion and emission of interface phonons by calculating the expression for the absorption power (AP) in GaAs/AlAs quantum wells (QWs). The full width at half maximum (FWHM) of the magneto-interface phonon resonance peaks was obtained by using the profile method. The FWHM is given as functions of the temperature, well width, and magnetic field presented to compare for both the barrier material AlAs and well material GaAs in the two cases of emission and absorbtion of interface modes. The result clearly
demonstrates important roles of the interface optical modes when the well width is small enough.
ABSTRACT
In this article, using the operator projection technique, we will theoretically study the electron-interface phonon scattering process due to the absorbtion and emission of interface phonons by calculating the expression for the absorption power (AP) in GaAs/AlAs quantum wells (QWs). The full width at half maximum (FWHM) of the magneto-interface phonon resonance peaks was obtained by using the profile method. The FWHM is given as functions of the temperature, well width, and magnetic field presented to compare for both the barrier material AlAs and well material GaAs in the two cases of emission and absorbtion of interface modes. The result clearly
demonstrates important roles of the interface optical modes when the well width is small enough.
[
2020\2020m012d01_10_3_36Bai_bao_ISI_2020.pdf
]
© Đại học Đà Nẵng
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn