Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 46,689,524

 Động năng trong quá trình tái tổ hợp hạt dẫn trong b-Ga2O3
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Huynh, T. T., Lem, L. L. C., Kuramata, A., Phillips, M. R., & Ton-That, C
Nơi đăng: Physical Review Materials; Số: 2(10), 105203;Từ->đến trang: xxx-xxx;Năm: 2018
Lĩnh vực: Khoa học; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
Cathodoluminescence (CL) spectra were measured to determine the characteristics of luminescence bands and carrier dynamics in β−Ga2O3 bulk single crystals. The CL emission was found to be dominated by a broad UV emission peaked at 3.40 eV, which exhibits strong quenching with increasing temperature; however, its spectral shape and energy position remain virtually unchanged. We observed a superlinear increase of CL intensity with excitation density; this kinetics of carrier recombination can be explained in terms of carrier trapping and charge transfer at Fe impurity centers. The temperature-dependent properties of this UV band are consistent with weakly bound electrons in self-trapped excitons with an activation energy of 48±10meV. In addition to the self-trapped exciton emission, a blue luminescence (BL) band is shown to be related to a donor-like defect, which increases significantly in concentration after hydrogen plasma annealing. The point defect responsible for the BL, likely an oxygen vacancy, is strongly coupled to the lattice exhibiting a Huang-Rhys factor of ∼7.3.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn