Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,341,442

 Defect-free β-Ga2O3 nanowires grown by the vapour-liquid-solid process
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Curtis P. Irvine, Thanh T. Huynh, Matthew R. Phillips, Cuong Ton-That
Nơi đăng: International Conference on Nanoscience and Nanotechnology; Số: 1;Từ->đến trang: 1;Năm: 2020
Lĩnh vực: Kỹ thuật; Loại: Báo cáo; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
Ga2O3 nanowires were grown using the vapour liquid solid (VLS) process. Nanowire diametersranged from a few nanometers to 60 nm, and length of several μm. XRD analysis indicatednanowires were monocrystalline beta-phase. Cathodoluminescence (CL) and photoluminescence (PL)studies demonstrated the defect-free nature of the nanowires with a strong diameter dependency,which lead to variations in optical properties
ABSTRACT
Ga2O3 nanowires were grown using the vapour liquid solid (VLS) process. Nanowire diametersranged from a few nanometers to 60 nm, and length of several μm. XRD analysis indicatednanowires were monocrystalline beta-phase. Cathodoluminescence (CL) and photoluminescence (PL)studies demonstrated the defect-free nature of the nanowires with a strong diameter dependency,which lead to variations in optical properties
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn