Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 107,316,204

 Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Hong Phuc Than, Thanh Tung Huynh, Quang Tho Than, Huu Ai Duong, Vu Anh Quang Nguyen
Nơi đăng: The 10th CITA; Số: 1;Từ->đến trang: 1;Năm: 2021
Lĩnh vực: Kỹ thuật; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
The InGaP/GaAs heterojunction phototransistor (HPT) and GaAs solar cell were monolithically integrated on an HPT epitaxial wafer, and the batteryfree operation of the photosensor was successfully demonstrated for energy harvesting and its measured electrical characteristics are consistent with simulation results. Radiation hardness of the energy-harvesting InGaP/GaAs HPT, which was confirmed after the high-energy electron irradiation, guarantees its space application.
ABSTRACT
The InGaP/GaAs heterojunction phototransistor (HPT) and GaAs solar cell were monolithically integrated on an HPT epitaxial wafer, and the batteryfree operation of the photosensor was successfully demonstrated for energy harvesting and its measured electrical characteristics are consistent with simulation results. Radiation hardness of the energy-harvesting InGaP/GaAs HPT, which was confirmed after the high-energy electron irradiation, guarantees its space application.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn