Science curiculum vitae personally - University of Da Nang




	Thông tin chung

	English

	Đề tài NC khoa học
	Bài báo, báo cáo khoa học
	Hướng dẫn Sau đại học
	Sách và giáo trình
	Các học phần và môn giảng dạy
	Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
	Khen thưởng
	Thông tin khác

	Tài liệu tham khảo

	Hiệu chỉnh


Số người truy cập: 107,034,718

Magneto-transport properties of magnetic tunneling transistors at low and room temperatures

Tác giả hoặc Nhóm tác giả: H.D. Quang, C.X. Huu, S.K. Oh, V.S. Dang, N.H. Sinh and S.C. Yu

Nơi đăng: Nanotechnology; Số: 17;Từ->đến trang: 3359-3365;Năm: 2006

Lĩnh vực: Tự nhiên; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế

TÓM TẮT

ABSTRACT

Si(100)/CoFe/AlO_x /CoFe/FeMn/Cu/Ta magnetic tunnelling transistors (MTTs) with differing base thicknesses (W) were investigated. The magneto-transport properties of the MTTs were measured at 77 K and room temperature (RT). We obtained magneto-current ratios of 48.3% and 55.9% foremitter–base bias voltages of 1.45 and 2.0 V, respectively, at 77 K. The transfer ratios are 2.83 × 10⁻⁵ and 1.52 × 10⁻⁴,respectively, corresponding to bias voltages of 1.45 and 2.0 V. Moreover, the highest tunnel magneto-resistance (TMR) ratios turned out to be 12% and 20% for a base thickness of 30 ˚A at RT and 77 K, respectively. These properties raise not only some fundamental questions regarding the phenomenon of spin-independent tunnelling at low and room temperatures, but also show some promising aspect for magneto-electronic applications. In addition, we attempted to elucidate the reason behind the outstanding TMR effect at low and room temperatures. Finally, the origin of the decrease in the mean free path asymmetry (λ↑/λ↓) was clariﬁed by using x-ray photoelectron spectroscopy proﬁle analysis of the elements existing in the interface between Si and the CoFe base (Co, Fe, Al, Si, O).

Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng

Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn