Thông tin chung

  English

  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác

  Tài liệu tham khảo

  Hiệu chỉnh

 
Số người truy cập: 53,171,443

 Ab-initio study of electronic and optical properties of biaxially deformed single-layer GeS
Tác giả hoặc Nhóm tác giả: Khang D. Phama,b, Chuong V. Nguyenc,∗∗, Huynh V. Phucd, Tuan V. Vue,f, Nguyen V. Hieug, Bui D. Hoii, Le C. Nhanh, Vo Q. Nhaj, Nguyen N. Hieuk,∗
Nơi đăng: Superlattices and Microstructures; Số: 120;Từ->đến trang: 501-507;Năm: 2018
Lĩnh vực: Khoa học; Loại: Bài báo khoa học; Thể loại: Quốc tế
TÓM TẮT
ABSTRACT
Inthe presentwork,using density functionaltheory(DFT), weinvestigate theinfluence ofbiaxial strain εb on electronic and optical properties of single-layer GeS. Our DFT calculations show that single-layer GeS is a semiconducting material at equilibrium and semiconductor-metal phase transition may occur at large compression biaxial strain. The optical absorption of single-layer GeS is high in the range of the middle ultraviolet lights. Besides, the biaxial has a great impact on the optical spectra of single-layer GeS in the high energy domains. The semiconductor-metal phase transition and the computational results of the absorption of GeS can provide more useful information for applications in nanoelectromechanical and optoelectronic devices.
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn