Nguyễn Quý Tuấn 
  Thông tin chung
  English
  Đề tài NC khoa học
  Bài báo, báo cáo khoa học
  Hướng dẫn Sau đại học
  Sách và giáo trình
  Các học phần và môn giảng dạy
  Giải thưởng khoa học, Phát minh, sáng chế
  Khen thưởng
  Thông tin khác
  Tài liệu tham khảo
  Hiệu chỉnh
 
Số người truy cập: 106,740,623

 
Mục này được 27835 lượt người xem
Họ và tên:  Nguyễn Quý Tuấn
Giới tính:  Nam
Năm sinh:  10/10/1984
Nơi sinh: Quảng Nam.
Quê quán Tam Kỳ, Quảng Nam
Tốt nghiệp ĐH chuyên ngành:  Sư phạm Vật lý; Tại: Trường Đại học Sư phạm – Đại học Đà Nẵng
Đơn vị công tác: Phòng Khoa học và HTQT; Trường Đại học Sư phạm
Chức vụ: Trưởng phòng
Học vị: Tiến sĩ; năm: 2014; Chuyên ngành: Khoa học Vật liệu - Công nghệ Nano; Tại: Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST)
Dạy CN: Vật lý đại cương; Vật lý màng mỏng; Vật lý bán dẫn; Ứng dụng công nghệ thông tin trong Vật lý;
Lĩnh vực NC: Khoa học Vật liệu; Vật liệu từ Vật liệu cách điện, điện môi Phân tích phổ XRD, Raman, huỳnh quang
Ngoại ngữ: Tiếng Anh
Địa chỉ liên hệ: Khoa Vật lý, Trường ĐH Sư phạm, ĐH Đà Nẵng
Điện thoại: 0511 7333 29; Mobile: 09 8885 7870
Email: nqtuan@ued.udn.vn
 Quá trình giảng dạy và công tác
 A) Thâm niên công tác:
- 01/2008 - nay: Cán bộ giảng dạy khoa Vật lý, trường Đại học Sư phạm - ĐH Đà Nẵng (ĐHSP-ĐHĐN).

B) Quá trình học tập và giảng dạy
- 11/2006 - 11/2008: Học Cao học chuyên ngành Vật lý Vô tuyến tại khoa Vật lý, Trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia Hà Nội (VNU).
- 12/2008 - 11/2010: Giảng dạy tại khoa Vật lý, Trường ĐHSP-ĐHĐN.
- 12/2010 - 10/2011: Tham gia chương trình liên kết đào tạo của VNU và Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST), tại VNU.
- 11/2011 - 09/2014: Nghiên cứu sinh tại Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST) (Suzuki laboratory).
- 10/2014 - 12/2015: Giảng viên, Giảng dạy tại Khoa Vật lý, Trường ĐHSP-ĐHĐN.
- 01/2016 - 3/2020: Phó Trưởng khoa, Khoa Vật lý, Trường ĐHSP-ĐHĐN.
- 3/2020 - nay: Trưởng phòng, Phòng Khoa học và Hợp tác quốc tế, Trường ĐHSP-ĐHĐN
 Các công trình khoa học
[1] Đề tài cấp cơ sở: Nghiên cứu chế tạo, khảo sát tính chất từ và cơ chế truyền dẫn CỦA VẬT LIỆU La0.5Ca0.5Mn0.5Fe0.5O3. Chủ nhiệm: Nguyễn Quý Tuấn. Thành viên: TS. Đinh Thanh Khẩn, ThS. Lê Văn Thanh Sơn, Võ Văn Linh. Mã số: T2019-TD-03. Năm: 2022. (Feb 20 2020 10:09AM)
[2] Đề tài cấp cơ sở: Thiết kế trang Web học tập và các bài giảng điện tử cho học phần Vật lí đại cương 2. Chủ nhiệm: Nguyễn Quý Tuấn. Mã số: T2010-03-28. Năm: 2010. (Mar 8 2023 6:12AM)
[3] Đề tài cấp cơ sở: Các đặc trưng khuếch đại và tạp âm của bộ khuếch đại quang sợi EDFA hoạt động với bơm đồng hướng bước song 1480 nm. Chủ nhiệm: Nguyễn Quý Tuấn. Mã số: T2009-03-58. Năm: 2009. (Mar 8 2023 6:11AM)
  
 Các bài báo, báo cáo khoa học
QUỐC TẾ:
[1]Article: Microwave absorption performance for Cu, Co, and Ti co-doped SrFe12O19 as a function of incident angle. Authors: C.T.A. Xuan, H.N. Toan, P.T.V. Ha, T.A. Ho,T.D. Thanh , N.Q. Tuan, P.T. Tho, N. Tran. Materials Chemistry and Physics. No: In press. Pages: 129174. Year 2024. (Mar 11 2024 7:35AM)
[2]Article: Development of high-efficiency tri-layer microwave absorbing materials based on SrMeFe11O19 hexaferrite. Authors: Tran Dang Thanh , Ngo Tran , Nguyen Thi Viet Chinh, Tran Thi Ha Giang, Do Hung Manh, Nguyen Quy Tuan. Journal of Alloys and Compounds. No: 970. Pages: 172421. Year 2023. (Mar 6 2024 6:55PM)
[3]Article: Excellent microwave absorption performances of cobalt-doped SrFe12O19 hexaferrite with varying incident angles. Authors: Tran Dang Thanh , Ngo Tran, Nguyen Thi Viet Chinh, Nguyen Thi Ngoc Anh, Do Hung Manh, Nguyen Quy Tuan. Journal of Alloys and Compounds. No: 952. Pages: 170060. Year 2023. (Mar 6 2024 7:01PM)
[4]Article: Detailed microwave loss mechanisms for nanocomposites of La-doped BaFe12O19 and polyaniline. Authors: P.T. Tho, N. Tran , N.Q. Tuan, T.A. Ho , C.T.A. Xuan , H.N. Toan, B.W. Lee. Ceramics International (J). No: 49 (14). Pages: 23669-23679. Year 2023. (Mar 6 2024 7:08PM)
[5]Article: Ultra-wide effective absorption bandwidth of Cu, Co, and Ti co-doped SrFe12O19 hexaferrite. Authors: P.T.Tho, T.A.Xuan, N.Tran, N.Q. Tuan, W.H.Jeong, S.W.Kim, D.T.Quang, V.D.Nguyen, T.N.Bach, T.D.Thanh, D.T. Khan, B.W.Lee. Ceramics International (J). No: Volume 48, Issue 19, Part A. Pages: 27409-27419. Year 2022. (Mar 8 2023 6:21AM)
[6]Article: Thickness independent microwave absorption performance of La-doped BaFe12O19 and polyaniline composites. Authors: N. Tran, M.Y. Lee, W.H. Jeong, T.L. Phan, N.Q. Tuan, B.W. Lee. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. No: 538. Pages: 168299. Year 2021. (Mar 8 2023 6:25AM)
[7]Article: Characteristics of microplastics in shoreline sediments from a tropical and urbanized beach (Da Nang, Vietnam). Authors: Quynh Anh Tran Nguyena, Hoai Nhu Y Nguyen, Emilie Strady, Quy Tuan Nguyen, Mau Trinh-Dang, Van Minh Vo. Marine Pollution Bulletin. No: 161 part B. Pages: 111768. Year 2020. (Mar 8 2023 6:30AM)
[8]Article: Magnetic phase transition in La0.8Sr0.2Mn0.9Sb0.1O3 manganite under pressure. Authors: S.E. Kichanov, D.P. Kozlenko, L.H. Khiem, N.X. Nghia, N.T.T. Lieu, M.T. Vu, E.V. Lukin, D.T. Khan, N.Q. Tuan, B.N. Savenko, N.T. Dang. Chemical Physics (J). No: 528. Pages: 110541. Year 2020. (Feb 19 2020 11:11AM)
[9]Article: Study on luminescent properties of Tb3+ and Sm3+ co-doped CaSiO3 phosphors for white light emitting diodes. Authors: D T Khan , N T Dang , S H Jabarov , T G Naghiyev, R M Rzayev, T Q Nguyen1, H V Tuyen, N T Thanh and L V T Son. Materials Research Express. No: 7. Pages: 016507. Year 2020. (Feb 19 2020 11:26AM)
[10]Article: Structural, magnetic and electronic properties of Ti-doped BaFeO3-d exhibiting colossal dielectric permittivity
. Authors: N.T. Dang, D.P. Kozlenko, N. Tran, B.W. Lee, T.L. Phan, R.P. Madhogaria, V. Kalappattil, D.S. Yang, S.E. Kichanov, E.V. Lukin, B.N. Savenko, P. Czarnecki, T.A. Tran, V.L. Vo, L.T.P. Thao, D.T. Khan, N.Q. Tuan, S.H. Jabarov, M.H. Phan. Journal of Alloys and Compounds. No: 808. Pages: 151760. Year 2019. (Feb 19 2020 10:59AM)
[11]Article: Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. Authors: Son Phuong Le, Toshimasa Ui, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki. Journal of Applied Physics. No: 119. Pages: 204503. Year 2016. (Sep 24 2018 10:46AM)
[12]Presentations: Temperature-dependent characteristics of AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor het-erojunction field-effect transistors. Authors: Tuan Quy Nguyen*, Toshimasa Ui, Masahiro Kudo, Hong-An Shih, Norihiko Hashimoto, and Toshi-kazu Suzuki
cvs weekly sale cvs print prescription savings cards
. 2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014), Kanazawa, Japan, July 1–3, (2014). Pages: 234-238. Year 2014. (Jul 9 2014 11:57AM)
[13]Article: Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: a comparison with Schottky devices. Authors: Son Phuong Le, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki. Journal of Applied Physics. No: 116. Pages: 054510. Year 2014. (Sep 24 2018 10:42AM)
[14]Article: Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric. Authors: Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, Toshi-kazu Suzuki. Physica Status Solidi (C). No: 10. Pages: 1401–1404. Year 2013. (Feb 12 2014 10:02PM)
[15]Presentations: AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric. Authors: Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki. The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan. Pages: TuC3-4. Year 2013. (Feb 15 2014 9:44PM)
[16]Presentations: Application of AlTiO thin films to AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. Authors: Tuan Quy Nguyen, Toshimasa Ui, Masahiro Kudo, Yuji Yamamoto, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki
walgreens pharmacy coupon site promo codes walgreens
. 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, Fukuoka, Japan, September 24–27 (2013).
marriage affairs blog.ivanovtech.com i want an affair
. Pages: 920-921. Year 2013. (Feb 15 2014 9:53PM)
[17]Presentations: X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. Authors: Masahiro Kudo, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki. 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hakodate, Japan, September 2–5 (2013).
marriage affairs open i want an affair
unfaithful spouse will my husband cheat again i dreamed my husband cheated on me
. Pages: 49-50. Year 2013. (Feb 25 2014 11:00PM)
[18]Presentations: Characterization of gate-control efficiency in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure by capacitance-frequency-temperature mapping. Authors: Hong-An Shih, Tuan Quy Nguyen, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, Kyoto, Japan, September 25-27, (2012). Pages: 905-906. Year 2012. (Jul 9 2014 12:07PM)
  
 Sách và giáo trình
[1]Electromagnetic Waves: Advances in Applications and Research (Chapter 1: Microwave absorption properties of CoFe2O4-based materials: A review) Chủ biên: Trần Ngọ. Đồng tác giả: Nguyen Quy Tuan, Chu Thi Anh Xuan . Nơi XB: Nova Science Publishers. Năm 2022.(Mar 8 2023 6:36AM)
[2]Giáo trình Thí nghiệm Vật lí đại cương Chủ biên: Nguyễn Quý Tuấn. Đồng tác giả: Đinh Thanh Khẩn, Dụng Văn Lữ, Mai Thị Kiều Liên, Trần Thị Hồng, Nguyễn Thị Xuân Hoài, Đặng Ngọc Toàn. Nơi XB: Nhà xuất bản Đà Nẵng. Năm 2021.(Mar 8 2023 6:34AM)
  
 Giải thưởng khoa học, phát minh và sáng chế
SttTênLĩnh vựcNăm nhậnSốNơi cấp
[1] AWAD2014 Young Researcher Award

 Khoa học công nghệ

 2014

 

 2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014), Kanazawa, Japan, July 1–3, 7A-3 (2014).

viagra coupon 2016 manufacturer coupons for prescription drugs discount coupons for viagra
  
© Đại học Đà Nẵng
 
 
Địa chỉ: 41 Lê Duẩn Thành phố Đà Nẵng
Điện thoại: (84) 0236 3822 041 ; Email: dhdn@ac.udn.vn